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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
12.8
14.9
写入速度,GB/s
9.0
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2780
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
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