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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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更快的读取速度,GB/s
19.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
26
读取速度,GB/s
12.8
19.2
写入速度,GB/s
9.0
12.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3180
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
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