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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
37
读取速度,GB/s
12.8
15.3
写入速度,GB/s
9.0
12.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2973
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
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Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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