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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
26
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
21
读取速度,GB/s
12.8
17.6
写入速度,GB/s
9.0
12.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3126
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
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