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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
13.3
16.1
写入速度,GB/s
8.5
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
3047
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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