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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
13.3
16.7
写入速度,GB/s
8.5
14.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
3406
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
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