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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
81
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
81
读取速度,GB/s
8.9
13.5
写入速度,GB/s
5.9
7.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1523
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
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