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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
13.3
15.7
写入速度,GB/s
8.5
11.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
2767
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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Kingston 9905712-034.A00G 16GB
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Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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