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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
46
读取速度,GB/s
13.3
15.9
写入速度,GB/s
8.5
12.8
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
2936
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
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