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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
13.3
9.1
写入速度,GB/s
8.5
7.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
1927
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
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