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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
13.3
16.4
写入速度,GB/s
8.5
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
2632
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
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