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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
13.2
16.7
写入速度,GB/s
9.3
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
3110
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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