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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
49
左右 -123% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
22
读取速度,GB/s
10.9
17.3
写入速度,GB/s
8.7
13.7
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3051
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
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