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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
49
左右 -133% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
21
读取速度,GB/s
10.9
18.5
写入速度,GB/s
8.7
14.0
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3263
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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RAM 1
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calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
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