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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
49
左右 -133% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
21
读取速度,GB/s
10.9
19.1
写入速度,GB/s
8.7
15.0
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3264
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
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