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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
69
左右 -188% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
24
读取速度,GB/s
4,217.2
15.1
写入速度,GB/s
1,857.7
13.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2638
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
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