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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.9
17.9
写入速度,GB/s
8.7
14.6
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3618
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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