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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
49
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
24
读取速度,GB/s
10.9
20.0
写入速度,GB/s
8.7
15.7
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3561
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
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