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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
49
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
38
读取速度,GB/s
10.9
14.0
写入速度,GB/s
8.7
10.2
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2407
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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