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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.9
17.3
写入速度,GB/s
8.7
15.4
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3628
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
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