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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
16.2
写入速度,GB/s
870.4
12.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2487
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
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