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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.9
18.1
写入速度,GB/s
8.7
15.5
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3706
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
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