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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
11.5
19.3
写入速度,GB/s
8.5
15.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
3751
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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