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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
比较
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB vs AMD R748G2133U2S-UO 8GB
总分
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
总分
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
25
读取速度,GB/s
13.4
15.0
写入速度,GB/s
9.3
12.0
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2298
2600
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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