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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
49
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
35
读取速度,GB/s
10.9
15.6
写入速度,GB/s
8.7
12.8
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2976
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
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