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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.9
18.3
写入速度,GB/s
8.7
13.5
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3247
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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