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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
63
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
25
读取速度,GB/s
3,231.0
15.0
写入速度,GB/s
1,447.3
11.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2549
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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