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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
60
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
31
读取速度,GB/s
4,595.2
17.2
写入速度,GB/s
2,168.2
12.6
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3256
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
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