RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3256
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link