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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
27
读取速度,GB/s
10.9
17.9
写入速度,GB/s
8.7
13.5
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3396
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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