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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
49
左右 -145% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
20
读取速度,GB/s
10.9
18.4
写入速度,GB/s
8.7
14.2
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3540
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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