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PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.8
18.1
写入速度,GB/s
8.4
13.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3172
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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