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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.9
20.4
写入速度,GB/s
8.7
16.5
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3810
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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