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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
56
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
30
读取速度,GB/s
4,387.7
16.7
写入速度,GB/s
1,813.5
13.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3398
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
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