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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
27
读取速度,GB/s
16.8
18.7
写入速度,GB/s
10.8
15.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
3712
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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