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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
27
读取速度,GB/s
10.9
19.4
写入速度,GB/s
8.7
16.3
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3827
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
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