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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
56
左右 61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
15.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
22
56
读取速度,GB/s
15.1
18.7
写入速度,GB/s
10.0
8.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2235
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641162 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
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