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Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
比较
Kingston KP223C-ELD 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
总分
Kingston KP223C-ELD 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP223C-ELD 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.4
15.6
写入速度,GB/s
8.8
14.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2137
3465
Kingston KP223C-ELD 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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