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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.9
18.8
写入速度,GB/s
8.7
16.1
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3664
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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