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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

总分
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

总分
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    49 left arrow 54
    左右 9% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    10.9 left arrow 9.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.7 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
报告一个错误

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 54
  • 读取速度，GB/s
    10.9 left arrow 9.3
  • 写入速度，GB/s
    8.7 left arrow 7.3
  • 内存带宽，mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2427 left arrow 1904

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较

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