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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
10.9
11.0
写入速度,GB/s
8.7
8.4
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2271
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
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