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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
NSITEXE Inc Visenta 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
58
左右 16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
NSITEXE Inc Visenta 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
58
读取速度,GB/s
10.9
18.0
写入速度,GB/s
8.7
8.2
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2025
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
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Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
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