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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
49
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
47
读取速度,GB/s
10.9
11.6
写入速度,GB/s
8.7
8.4
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2537
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
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