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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
62
左右 21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
62
读取速度,GB/s
10.9
15.9
写入速度,GB/s
8.7
7.4
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
1891
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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