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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
47
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
24
读取速度,GB/s
10.4
16.0
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2843
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
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