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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
48
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
10.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
48
读取速度,GB/s
10.8
11.6
写入速度,GB/s
8.5
8.4
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2349
2466
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
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