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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston 9905678-177.A00G 8GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

总分
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Kingston 9905678-177.A00G 8GB

Kingston 9905678-177.A00G 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Kingston 9905678-177.A00G 8GB 需要考虑的原因
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 49
    左右 -113% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.9 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.6 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 16.9
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 13.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2070 left arrow 3117

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
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内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
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内存RAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
内存RAM
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
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内存RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
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Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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内存RAM
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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Kingston KF548C38-16 16GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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