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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs AMD R748G2400S2S 8GB

总分
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

总分
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AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    49 left arrow 135
    左右 64% 更低的延时
AMD R748G2400S2S 8GB 需要考虑的原因
AMD R748G2400S2S 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.2 left arrow 10.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 135
  • 读取速度，GB/s
    10.2 left arrow 15.2
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 8.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2465 left arrow 1359

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
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AMD R748G2400S2S 8GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston 9905744-035.A00G 16GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
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内存RAM
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内存RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
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内存RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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