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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.2
17.6
写入速度,GB/s
8.1
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2951
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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