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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.2
17.6
写入速度,GB/s
8.1
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3635
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
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